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三星宣布已完成全球首款32Gb(4GB)DDR5内存芯片开发

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三星宣布已完成全球首款32Gb(4GB)DDR5内存芯片开发

近期,三星电子宣布已完成全球首款32Gb(4GB)DDR5内存芯片的开发。该芯片是迄今业界密度最高的,可依此研发1TB容量的内存条。此前5月份,三星刚刚开始量产16Gb(2GB)容量的DDR5内存芯片,频率高达7200MT/s。

最新的32GbDDR5内存芯片,继续采用12nm级别工艺制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款内存产品,容量已经增加了50多万倍!

不过,三星并未披露具体频率。

此前的128GBDDR5内存条,必须使用TSV硅穿孔技术,堆叠多颗芯片才能达成,而现在有了单颗64Gb,就不需要TSV堆叠了,从而将功耗降低大约10%。

只需要8颗这样的芯片,就能达成单条32GB容量。

更进一步,使用8-Hi3DS堆叠技术将8颗32Gb芯片整合在一起,然后在一条内存上安装32颗,就能达成单条1TB容量!

有了它,AMDEPYC9004这样支持12通道内存的服务器平台上,就可以实现单路系统12TB内存。

三星计划在今年底量产32GbDDR5内存芯片。


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当前页面更新时间:2024-10-16